而在很多人的认识中，制造7nm及以下的芯片，必须使用EUV光刻机，并且似乎已经成为了大家的共识。

那么问题来了，不用EUV光刻机，就真的制造不出7nm这样的芯片么?其实还真不是的，不用EUV光刻机，制造出7nm的芯片，甚至理论上来说，5nm芯片都是可行的。

大家回忆一下，2018年华为海思的麒麟980采用的是什么工艺?华为当时表示，这是全球首发台积电7nm工艺的一款芯片。

而2019年，华为发布麒麟990时，表示这是台积电第二代7nm工艺，是采用7nm EUV工艺，着重强调了EUV。

为什么第一代不强调下EUV，第二代才强调下?从这个细节可以看出来，台积电长一代7nm，其实并没有使用EUV工艺。

事实上，在7nm时，台积电有3种工艺，分别是、N7、N7P、7nm EUV(N7+)。除了7nm EUV，另外两种均是使用DUV。

为此，台积电还专门开发了多重曝光技术，这个足以说明，不使用EUV光刻机，一样是可以生产出7nm芯片了吧。

另外我还给大家上一个图，这是5代光刻机的演进路线图，DUV是指采用193nm波长的浸润式光刻机，通过水的折射，最终波长缩短为134nm，NA值为1.35。

从图上也可以看出来，DUV这种光刻机，在进行多重曝光后，可以实现7nm的光刻精度。

同时大家不知道的是，就算是当前的5nm、4nm芯片，台积电和三星，也只是将EUV应用于少数层，而浸入式DUV也会用于部分层，在7nm以下，DUV和EUV仍是要联合使用的。

所以没有EUV光刻机，制造7nm芯片，并不是什么稀奇的事情。

甚至按着台积电多重曝光技术的演进，用DUV制造5nm芯片，都是有可能的。只是多重曝光，会影响晶圆的良率，从而导致制造成本过高。

而一旦良率过低，是没法规模量产的，只能是试验性的使用。